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厂商型号

PN2222BU 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT NPN Transistor General Purpose

内部编号

3-PN2222BU

#1

数量:4206
1+¥0.1541
25+¥0.1541
100+¥0.1541
500+¥0.1541
1000+¥0.077
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:4206
1+¥0.1541
25+¥0.1541
100+¥0.1541
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#3

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PN2222BU产品详细规格

规格书 PN2222BU datasheet 规格书
PN2222
文档 Copper Lead Frame 12/Oct/2007
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1,000
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 600mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 30V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 1V @ 50mA, 500mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 100 @ 150mA, 10V
功率 - 最大 625mW
频率转换 300MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供应商器件封装 TO-92-3
包装材料 Bulk
集电极最大直流电流 0.6
最低工作温度 -55
安装 Through Hole
Maximum Transition Frequency 300(Min)
包装宽度 4.19(Max)
PCB 3
最大功率耗散 625
类型 NPN
欧盟RoHS指令 Compliant
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 60
最大集电极发射极电压 30
供应商封装形式 TO-92
标准包装名称 TO-92
最高工作温度 150
包装长度 5.2(Max)
引脚数 3
最小直流电流增益 35@0.1mA@10V|100@150mA@10V
包装高度 5.33(Max)
最大基地发射极电压 5
封装 Bulk
铅形状 Through Hole
电流 - 集电极( Ic)(最大) 600mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 300MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 1V @ 50mA, 500mA
标准包装 1,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 30V
供应商设备封装 TO-92-3
功率 - 最大 625mW
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 100 @ 150mA, 10V
其他名称 NT2222
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
集电极电流( DC)(最大值) 0.6 A
集电极 - 基极电压 60 V
集电极 - 发射极电压 30 V
发射极 - 基极电压 5 V
频率(最大) 300 MHz
功率耗散 0.625 W
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 TO-92
元件数 1
直流电流增益(最小值) 35
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
晶体管极性 NPN
频率 300 MHz
集电极电流(DC ) 0.6 A
直流电流增益 35
associated 80-4-5

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